人造石英单晶SiO2在高压釜中通过水热法生长，有左手和右手两种形式。石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性，透光范围为0.15-4μm。石英晶体因其压电性能、低热膨胀系数、优异的机械和光学性能，被用于电子、精密光学和激光技术，光通信，X射线光学

使用/应用

电子、精密光学和激光技术、光通信、X射线光学。

特点/优势

石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性，透光范围为0.15-4μm。
石英晶体具有良好的压电性能、较低的热膨胀系数、优异的力学和光学性能。

• 参数

  生长方法	水热法
  晶体结构	六方
  晶格常数	a=4.914Å    c=5.405 Å
  熔点（℃）	1610℃（相转变点：573.1℃）
  密度	2.684g/cm3
  硬度	7（mohs）
  热熔	0.18cal/gm
  热导率	0.0033cal/cm℃
  热电常数	1200uv/℃（300℃）
  折射率	1.544
  热膨胀系数	α11：13.71×10-6 / ℃ α33：7.48×10-6 /℃
  Q值	1.8×106 min
  声速、声表级	3160（m/sec）
  频率常数	1661（kHz/mm）
  压电偶合	K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
  晶向	Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值 主定位边：根据客户要求定方向±30分 次定位边：根据客户要求定方向 籽 晶：位于中心，宽度<5mm，高度>66mm
  抛光面	外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å 工作区域：基片直径-3mm 弯 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm 坑和划痕：每片<3，每100片<20
  标准厚度	0.5mm±0.05mm TTV<5um
  标准直径	Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位边：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位边：10mm±1.5mm

  
  

• 尺寸

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