氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。
编号 | 密度（g/cm3） | 热导率（W/m.K） | 热胀系数（x10-6/℃ | 电介质强度（Kv/mm） | 介电常数（at 1MHz） | 损耗角正切（x104@1 MHz） | 体电阻（ohm—cm） | 弯曲强度（Kg/mm2） |
SD5111 | >3.20 | 80~100 | <4.5 | >15 | 9.0 | 3~10 | >1013 | >20 |
SD5113 | >3.25 | 100~130 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >25 |
SD5115 | >3.25 | 140~170 | <4.3 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >28 |
SD5116 | 3.26 | >170 | <4.2 | >15 | 8.7 | 3~7 | >1014 | >30 |
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