半导体N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域，并能起到减小体积简化系统、提高功率密度的作用。

使用/应用

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。
可应用于高频电子器件、电动汽车功率控制单元（PCU）、光伏逆变器、轨道交通功率控制系统等领域，并能起到减小系统体积简化、提高功率密度的作用。

特点/优势

具有耐高压、耐高频等突出的物理特性。

• 参数

  生长方法	籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输）
  晶体结构	六方
  晶格常数	a=3.08 Å     c=15.08 Å
  排列次序	ABCACB
  方向	生长轴或 偏<0001>3.5 º
  带隙	2.93 eV (间接)
  硬度	9.2（mohs）
  热传导@300K	5 W/ cm.k
  介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
  尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
  	dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm等
  厚度	0.5mm，1.0mm
  抛光	单面或双面
  晶向	<001>±0.5º
  晶面定向精度:	±0.5°
  边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
  斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
  Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
  包装	100级洁净袋，1000级超净室

  
  

• 尺寸

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