氧化锌（ZnO）是GaN薄膜的良好衬底。它在室温下具有60 meV的大激子结合能和3.73 eV的带宽，使其成为紫外光和可见光的发光材料。由于其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器、大尺寸和高质量的GaN衬底、，未来超过5GHz的无线通信、高电场设备、高温高能电子设备等。

使用/应用

用于紫外线和可见光的发光材料。
高电场设备。
高温高能电子器件。
高效半导体光电子器件、半导体光催化和稀磁半导体。

特点/优势

激子结合能高达60mev；
在可见光区域透明；
机电耦合系数大。

• 参数

  结构	六方
  晶格常数	a=3.252Å    c=5.313 Å
  密度	5.7（g/cm3）
  生长方法	Hydrothermal
  莫氏硬度 (Mho)	4（mohs）
  熔点	1975℃
  热膨胀系数	6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
  比热	0.125 cal /g.m
  热电常数	1200 mv/k @ 300 ℃
  热导率	0.006 cal/cm/k
  透过范围	0.4-0.6 um > 50% at 2mm

  
  

• 尺寸

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