砷化镓（化学式：GaAs）是由镓和砷两种元素合成的化合物。它是一种重要的IIIA族和V族复合半导体材料。

使用/应用

砷化镓（GaAs）可用于制造微波集成电路、红外发光二极管、半导体激光器和太阳能电池。砷化镓常被用作III-V族半导体外延生长的基底材料，包括砷化铟镓、砷化铝镓等。

特点/优势

▪ 非常高的电子迁移率。
▪ 与硅电池相比，砷化镓电池对热相对不敏感。因此，它具有很高的热稳定性。
▪ 低噪音。
▪ 可在较宽的温度范围内工作。
▪ 效率高，抗辐射。

• 参数

  单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度cm-3	位错密度cm-2	生长方法 最大尺寸	标准基片
  GaAs	None	Si		/	<5×105	LEC HB Dia3″	Dia3″×0.5 Dia2″×0.5
  	Si	N		>5×1017
  	Cr	Si		/
  	Fe	N		~2×1018
  	Zn	P		>5×1017
  尺寸（mm）			25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
  表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
  抛光			单面或双面
  包装			100级洁净袋，1000级超净室

  
  

• 尺寸

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